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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RF Power Field Effect Transistor | ETC 知名厂家 | ETC |   | |
RF Power Field Effect Transistor | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 3100-3500 MHz, 120 W PEAK, 32 V PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for pulsed wideband applications operating at frequencies between 3100 and 3500 MHz. • Typical Pulsed Performance: VDD = 32 Volts, IDQ = 150 mA, Pout = 120 Watts Peak (24 Watts Avg.), Pulsed Signal, f = 3500 MHz, P | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
3100-3500 MHz, 120 W峰值, 32 V脉冲射频功率LDMOS | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF7S35120H产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF7S35120H
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV7 120W PULSED
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale |
23+ |
高频管 |
155 |
专营高频管模块,全新原装! |
|||
Freescale(飞思卡尔) |
2022+ |
60000 |
原厂原装,假一罚十 |
||||
恩XP |
22+ |
NI780S |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FREESCALE |
24+ |
SMD |
50945 |
只做全新原装进口现货 |
|||
FREESCALE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
FREESCALE |
24+ |
SMD |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
FREESCALE |
2402+ |
high-frequency |
8324 |
原装正品!实单价优! |
|||
24+ |
N/A |
54000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Freescale |
0952+ |
NI-400 |
912 |
全新进口原装 |
|||
恩XP |
250 |
MRF7S35120H规格书下载地址
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