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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF7S35120HSR3 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 3100-3500 MHz, 120 W PEAK, 32 V PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for pulsed wideband applications operating at frequencies between 3100 and 3500 MHz. • Typical Pulsed Performance: VDD = 32 Volts, IDQ = 150 mA, Pout = 120 Watts Peak (24 Watts Avg.), Pulsed Signal, f = 3500 MHz, P | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF7S35120HSR3 | RF Power Field Effect Transistor | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF7S35120HSR3 | 封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF7S35120HSR3 | 3100-3500 MHz, 120 W峰值, 32 V脉冲射频功率LDMOS | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF7S35120HSR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF7S35120HSR3
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV7 120W PULSED
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
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