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MRF7S35120HSR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

3100-3500 MHz, 120 W PEAK, 32 V PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for pulsed wideband applications operating at frequencies between 3100 and 3500 MHz. • Typical Pulsed Performance: VDD = 32 Volts, IDQ = 150 mA, Pout = 120 Watts Peak (24 Watts Avg.), Pulsed Signal, f = 3500 MHz, P

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF7S35120HSR3

RF Power Field Effect Transistor

ETC

知名厂家

MRF7S35120HSR3

封装/外壳:NI-780S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF7S35120HSR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF7S35120HSR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV7 120W PULSED

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-15 18:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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