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RFPowerFieldEffectTransistors(N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs)

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforCDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABandClassCforPCN-PCS/cellularradioandWLLappl

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

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RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

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RFPowerFieldEffectTransistors

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RFPowerFieldEffectTransistorsN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs

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封装/外壳:NI-880S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-88OS 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF7S21170HSR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF7S21170HSR

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 2.1GHZ HV7 WCDMA NI880HS

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-6-30 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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