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MRF7S21170HSR3

RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB and Class C for PCN - PCS/cellular radio and WLL appl

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RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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RF Power Field Effect Transistors

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MRF7S21170HSR3

封装/外壳:NI-880S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-88OS 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF7S21170HSR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF7S21170HSR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 2.1GHZ HV7 WCDMA NI880HS

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-22 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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