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MRF6S9130HSR3

RF Power Field Effect Transistors

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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RF Power Field Effect Transistors

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S9130HSR3

封装/外壳:NI-780S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 68V 880MHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. • Typical Single-Carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 950 mA, Pout = 27 Watts Avg., f = 880 MHz, IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Tr

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RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF6S9130HSR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF6S9130HSR3

  • 功能描述

    MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2025-8-7 18:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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