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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MRF6S9130HSR3 | 封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 68V 880MHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |  | |
RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMA,GSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom865to960MHz.Suitableformulticarrieramplifierapplications. •TypicalSingle-CarrierN-CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=950mA,Pout=27WattsAvg.,f=880MHz,IS-95CDMA(Pilot,Sync,Paging,Tr | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 | | | |
RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs 文件：419.22 Kbytes Page：11 Pages | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 | | |
MRF6S9130HSR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF6S9130HSR3
- 功能描述
MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
0709+ |
SMD |
101 |
全新原装 实单必成 |
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Freescale |
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NA |
8000 |
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Freescale |
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NI-780S |
750 |
原装现货假一罚十 |
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NXP/恩智浦 |
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NA |
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FREESCALE |
0709+ |
SMD |
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21+ |
SMD |
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FREESCALE |
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SMD |
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FREESCALE |
标准封装 |
58250 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
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2019-11-30
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