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MRFE6S9130HSR3

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

DesignedforN-CDMA,GSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom865to960MHz.Suitableformulticarrieramplifierapplications. •TypicalSingle-CarrierN-CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=950mA,Pout=27WattsAvg.,f=880MHz,IS-95CDMA(Pilot,Sync,Paging,Tr

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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MRFE6S9130HSR3

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

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MRFE6S9130HSR3

封装/外壳:NI-780S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 66V 880MHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

RFPowerFieldEffectTransistors

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MRFE6S9130HSR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFE6S9130HSR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2024-10-31 18:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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