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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MRF6S21050LR3 | RF Power Field Effect Transistors 文件：437.06 Kbytes Page：12 Pages | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF6S21050LR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：398.51 Kbytes Page：11 Pages | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | |
MRF6S21050LR3 | 封装/外壳：NI-400 包装：托盘 描述：FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：398.51 Kbytes Page：11 Pages | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | |
MRF6S21050LR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF6S21050LR3
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MRF6S21050LR3规格书下载地址
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