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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：404.7 Kbytes Page：11 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | ||
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：399.61 Kbytes Page：12 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：404.7 Kbytes Page：11 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：SOT-957A 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 68V 1.99GHZ NI-880 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：399.61 Kbytes Page：12 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：404.7 Kbytes Page：11 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：NI-880S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF6S19140产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF6S19140
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV6 28V 29W LDMOS NI880H
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
22+ |
NI880 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FREESCALE |
22+ |
SMD |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
FRESSCAL |
24+ |
SMD |
310 |
||||
Freescale |
23+ |
高频管 |
350 |
专营高频管模块,全新原装! |
|||
FREESCALE |
24+ |
SMD |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
|||
FREESCALE |
24+ |
SMD |
65200 |
一级代理/放心采购 |
|||
FREESCA |
23+ |
SMD |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
FREESCALE |
22+ |
TQFP112 |
18000 |
原装现货原盒原包.假一罚十 |
|||
恩XP |
23+ |
NI880 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Freescale |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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- MRF846
- MRF842
- MRF840
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