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MRF6P3300HR5

RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)

470-860 MHz, 300 W, 32 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large - signal, common - source amplifier applications in 32 vol

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6P3300HR5

RF Power Field Effect Transistor

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6P3300HR5

封装/外壳:NI-860C3 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

860 MHz, 300 W, 32 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large - signal, common - source amplifier applications in 32 volt ana

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MRF6P3300HR5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF6P3300HR5

  • 功能描述

    MOSFET RF N-CH 32V 300W NI-860C3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2025-8-7 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSL
24+
NA/
3426
原装现货,当天可交货,原型号开票
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24+
198
现货供应
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24+
NI-860C3
12000
原装正品 有挂就有货
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NI-860C3
56117
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原装现货库存.价格优势
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8510
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17+
NI-860C3
6200
100%原装正品现货

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