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1990 MHz, 22 W Avg., 2 x N-CDMA, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

1990 MHz, 22 W Avg., 2 x N-CDMA, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

ETC

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The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies up to 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance: VDD

Motorola

摩托罗拉

更新时间:2025-12-29 23:01:00
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