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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective SO-8 package

Microsemi

美高森美

更新时间:2025-9-30 17:01:03
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
SOP-8
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票
ON
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