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MMUN2111晶体管资料
MMUN2111别名：MMUN2111三极管、MMUN2111晶体管、MMUN2111晶体三极管
MMUN2111生产厂家：
MMUN2111制作材料：Si-P+R
MMUN2111性质：表面帖装型 （SMD）
MMUN2111封装形式：贴片封装
MMUN2111极限工作电压：50V
MMUN2111最大电流允许值：0.1A
MMUN2111最大工作频率：<1MHZ或未知
MMUN2111引脚数：3
MMUN2111最大耗散功率：0.4W
MMUN2111放大倍数：β>35
MMUN2111图片代号：H-15
MMUN2111vtest：50
MMUN2111htest：999900
- MMUN2111atest：0.1
MMUN2111wtest：0.4
MMUN2111代换 MMUN2111用什么型号代替：UN2111,
MMUN2111价格
参考价格：￥0.2695
型号：MMUN2111LT1 品牌：ON 备注：这里有MMUN2111多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMUN2111批发/采购报价，MMUN2111行情走势销售排行榜，MMUN2111报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMUN2111 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transis tor with a monolithic bias network cons | LRC 乐山无线电 |   | |
MMUN2111 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon Bias Resistor Transistor PNP Silicon P/b Lead(Pb)-Free | WEITRON | | |
MMUN2111 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon | WEITRON | | |
MMUN2111 | Bias Resistor Transistors | LRC 乐山无线电 | | |
MMUN2111 | 数字三极管 | BLUECOLOUR 蓝彩电子 | | |
Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisti | LRC 乐山无线电 | | ||
PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monoli | Motorola 摩托罗拉 | | ||
Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisti | LRC 乐山无线电 | | ||
Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transis tor with a monolithic bias network cons | LRC 乐山无线电 | | ||
Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k 文件：146.35 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Digital Transistors (BRT) 文件：184.73 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：149.93 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Digital Transistors (BRT) 文件：108.63 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR 文件：188.18 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Bias Resistor Transistors 文件：90.31 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Bias Resistor Transistors 文件：90.31 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors 文件：196.33 Kbytes Page：13 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Digital Transistors (BRT) 文件：108.63 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Digital Transistors (BRT) 文件：184.73 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k 文件：146.35 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：149.93 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k 文件：146.35 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：149.93 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Digital Transistors (BRT) 文件：184.73 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Fast Ethernet Cat5e Data Double-Ended Cordset Product Description Fast Ethernet Cat5e Data Double-Ended Cordset: Male straight D-coded black M12 Standard to male straight RJ45-coded black RJ45 Field Attachable, shielded, 30 V AC / 42 V DC, 1.5 A; TPE green cable, 4-wires, 0.38 mm² | BELDEN 百通 | | ||
Snap Bushings 文件：133.28 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
One-way flow control valve 文件：79.26 Kbytes Page：1 Pages | FESTOFesto Corporation. 费斯托费斯托（中国）有限公司 | | ||
2111 文件：125.32 Kbytes Page：6 Pages | YOUDA 无锡市友达 | | ||
Fieldbus, 5 Pr #16 Str TC, XLPO Ins, IS/OS, TPE Jkt, CMG 文件：256.839 Kbytes Page：3 Pages | BELDEN 百通 | |
MMUN2111产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMUN2111
- 制造商
LRC
- 制造商全称
Leshan Radio Company
- 功能描述
Bias Resistor Transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
|||
ON/安森美 |
2223+ |
SOT23 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
ON |
23+ |
NA |
177218 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
|||
ON(安森美) |
23+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
13074 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
|||
onsemi |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
ON/安森美 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
|||
ONN |
2526+ |
原厂封装 |
80818 |
只做原装优势现货库存 渠道可追溯 |
|||
ON |
24+ |
N/A |
3153 |
只做原装 正品 |
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MMUN2111规格书下载地址
MMUN2111参数引脚图相关
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2025-2-19MMZ25332B4T1
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2020-11-13MMSZ5243BT1
MMSZ5243BT1 ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-4MN101AF68G
MN101AF68G，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-2MMSZ5248BT1G
MMSZ5248BT1G
2019-11-15MNLM129A-X-精密基准
一般描述 该LM129是多方面的，当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密 10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片，LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5 mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用，0.002，0.005和0.01％/ c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程，以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如，几乎没有在齐纳
2013-3-17
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