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MPIC2111

HALF-BRIDGEDRIVER

HALF–BRIDGEDRIVER TheMPIC2111isahighvoltage,highspeed,powerMOSFETandIGBTdriverwithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannelsdesignedforhalf–bridgeapplications.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Logicinp

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

HALF-BRIDGEDRIVER

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MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

Description ThedeviceismanufacturedusingDiffusedCollectorTechnologyformorestableoperationvsbasedrivecircuitvariationsresultinginverylowworstcasedissipation. Features ■NEWSERIES,ENHANCEDPERFORMANCE ■FULLYINSULATEDPACKAGE(U.L.COMPLIANT)FOREASYMOUNTING ■HIGHV

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

2111

文件:125.32 Kbytes Page:6 Pages

YOUDAWuxi Youda Electronics Co., Ltd

无锡市友达无锡市友达电子有限公司

YOUDA

One-wayflowcontrolvalve

文件:79.26 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托公司德国FESTO费斯托(中国)有限公司

FESTO

Fieldbus,5Pr#16StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG

文件:256.839 Kbytes Page:3 Pages

BELDEN

Belden Inc.

BELDEN

HighCurrentToroidInductors

文件:111.85 Kbytes Page:1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

MPIC2111产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MPIC2111

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    HALF-BRIDGE DRIVER

更新时间:2024-4-25 17:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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诚信交易大量库存现货
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2022
DIP-8
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
MOT房有多
20+
SOP8
2960
诚信交易大量库存现货

MPIC2111芯片相关品牌

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    MPS代理商授权经销,深圳市惊羽科技有限公司,刘先生:1314700-5145,QQ:43871025,货真价实,有问必回!

    2020-9-25
  • MPIC2130-3相桥驱动器

    该MPIC2130是一种高电压,高转速,功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5VCMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出,也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。•浮动通道操作

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    MPIC2112是一种高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟,以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。•浮动通道引导操作设计•全业务600V•容错负瞬态电压•的dV/dt的免疫R

    2012-11-12