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MPIC2111P	HALF-BRIDGEDRIVER HALF–BRIDGEDRIVER TheMPIC2111isahighvoltage,highspeed,powerMOSFETandIGBTdriverwithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannelsdesignedforhalf–bridgeapplications.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Logicinp	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
2111FX	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR Description ThedeviceismanufacturedusingDiffusedCollectorTechnologyformorestableoperationvsbasedrivecircuitvariationsresultinginverylowworstcasedissipation. Features ■NEWSERIES,ENHANCEDPERFORMANCE ■FULLYINSULATEDPACKAGE(U.L.COMPLIANT)FOREASYMOUNTING ■HIGHV	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2111	2111 文件：125.32 Kbytes Page：6 Pages	YOUDAWuxi Youda Electronics Co., Ltd 无锡市友达无锡市友达电子有限公司
2111	One-wayflowcontrolvalve 文件：79.26 Kbytes Page：1 Pages	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司
2111A	Fieldbus,5Pr#16StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG 文件：256.839 Kbytes Page：3 Pages	BELDEN Belden Inc.
2111-H	HighCurrentToroidInductors 文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）

MPIC2111P产品属性

类型
描述
型号
MPIC2111P
制造商
MOTOROLA
制造商全称
Motorola, Inc
功能描述
HALF-BRIDGE DRIVER

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更新时间：2024-4-27 9:36:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百视威讯电子科技有限公司	MPIC2111P		23+	N/A	46580	正品授权货源可靠	询价
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上海涵恩科技有限公司（原上海凌岳电子）	MPIC2111P	IR	2023+		5000	进口原装现货	询价
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深圳市海元微电科技有限公司	MPIC2112DW	ON Semiconductor	22+	原厂原装	100000		询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	MPIC2112DW	onsemi(安森美)	23+		7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	MPIC2111P	IR	2017+	DIP-8	32568	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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MPS代理商授权经销，深圳市惊羽科技有限公司，刘先生:1314700-5145，QQ:43871025，货真价实，有问必回！
2020-9-25
MPIC2130-3相桥驱动器
该MPIC2130是一种高电压，高转速，功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5VCMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出，也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。•浮动通道操作
2013-2-7
MPIC2112DW-高端和低端驱动器
MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。•浮动通道引导操作设计•全业务600V•容错负瞬态电压•的dV/dt的免疫R
2012-11-12

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