| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description The ACE4446B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source ind | ACE |   | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4446 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. This device is ideally suited for use in PWM applications. Standard Product AO4446 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4446L is a Green Produ | AOSMD 万国半导体 | | ||
N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 15 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) | KEXIN 科信电子 | | ||
Adafruit eInk Feather Friend with 32KB SRAM 文件：2.6837 Mbytes Page：3 Pages | Adafruit | | ||
30V N-Channel MOSFET 文件：171.76 Kbytes Page：4 Pages | AOSMD 万国半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
25+ |
SOP-8 |
3000 |
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AOS/万代 |
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AOS(万代) |
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NA |
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AOSMD |
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ALPHA |
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MI |
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