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MMF60R115PTH	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 33A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.115Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
MMF60R190PTH	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.19Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
MMF60R190QTH	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.19Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
MMF60R190R	600V 0.19Ω N-channel MOSFET  Description MMF60R190R is power MOSFET using Magnachip’s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. This device combines improvement of switching speed with effective switching behavior. And it also will provide much high efficiency by using o	MGCHIP	MGCHIP
MMF60R190RTH	600V 0.19Ω N-channel MOSFET  Description MMF60R190R is power MOSFET using Magnachip’s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. This device combines improvement of switching speed with effective switching behavior. And it also will provide much high efficiency by using o	MGCHIP	MGCHIP
MMF60R280QTH	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 13.8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.28Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC	ISC 无锡固电	ISC
MMF60R290PTH	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.29Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
MMF60R360PTH	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.36Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
MMF60R360RZ	600V 0.36Ω N-channel MOSFET  Description MMF60R360RZ is power MOSFET using Magnachip’s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. This device combines improvement of switching speed with effective switching behavior. And it also will provide much high efficiency by using	MGCHIP	MGCHIP
MMF60R360RZTH	600V 0.36Ω N-channel MOSFET  Description MMF60R360RZ is power MOSFET using Magnachip’s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. This device combines improvement of switching speed with effective switching behavior. And it also will provide much high efficiency by using	MGCHIP	MGCHIP
MMF60R580PTH	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.58Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC	ISC 无锡固电	ISC
MMF60R580QTH	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.58Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC	ISC 无锡固电	ISC
MMF60R750PTH	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.75Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
MMF65R190PTH	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.19Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
MMF65R600QTH	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
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MMF60A	200W 60V TVS transient suppressor diode 文件：825.258 Kbytes Page：3 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
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MMF64CA	200W 64V TVS transient suppressor diode 文件：825.258 Kbytes Page：3 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MMF6.0A	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE 文件：811.38 Kbytes Page：3 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
MMF6.0A	Low profile package 文件：497.58 Kbytes Page：5 Pages	SEMITECH 海晨启半导体	SEMITECH
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MMF6.0A	Working peak reverse voltage range ??5.0V to 190V 文件：485.75 Kbytes Page：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
MMF6.0CA	Low profile package 文件：497.58 Kbytes Page：5 Pages	SEMITECH 海晨启半导体	SEMITECH
MMF6.0CA	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE 文件：811.38 Kbytes Page：3 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
MMF6.0CA	Glass passivated junction 文件：130.759 Kbytes Page：4 Pages	SEMITECH 海晨启半导体	SEMITECH
MMF6.0CA	5.0 to 19 0Volts 200Watts SMD TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS 文件：244.4 Kbytes Page：4 Pages	ZSELEC 淄博圣诺	ZSELEC
MMF6.0CA	通用大功率TVS管	XWSEMI 芯微半导体	XWSEMI
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MMF6.5A	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE 文件：811.38 Kbytes Page：3 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
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MMF60R190PTH	600V 0.19(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.30176 Mbytes Page：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF60R190Q	600V 0.19(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.44307 Mbytes Page：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF60R190QTH	600V 0.19(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.44307 Mbytes Page：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF60R280QTH	600V 0.28ohm N-channel MOSFET 文件：1.16753 Mbytes Page：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP

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IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380 。电话：0755-83226739 Q Q:626839837。微信号：15096137729
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深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380 。电话：0755-83226739 Q Q:626839837。微信号：15096137729
2019-12-3
MMDJ-M65608EV-30MQ
AD9642BCPZ-250 AD9650BCPZ-25 AD9640ABCPZ-150 AD9643BCPZ-250 AD9162BBCA AD9251BCPZ-65 AD9640ABCPZ-105 AD9854ASVZ HMCAD1520TR HMC1020LP4ETR HMC1010LP4ETR HMC1097LP4ETR ADSP-TS201SABP-060 ADSP-TS201SABP-050 5962-8770002EA 5962-8777101MCA 5962-8948102VX 5962-8982502PA 5962-9078501MLA
2019-11-30
MMDJ-65608EV-30MQ静态随机存取存储器
制造商: Microchip 产品种类: 静态随机存取存储器存储容量: 128 kbit 访问时间: 30 ns 电源电压-最大: 5.5 V 电源电压-最小: 4.5 V 电源电流—最大值: 110 mA 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: Flatpack-32 数据速率: SDR 类型: Asynchronous 商标
2019-11-29

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