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MMF60R190PTH	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MMF60R190PTH	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET 文件：1.30176 Mbytes Page：10 Pages	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MMF60R190P	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET 文件：1.30176 Mbytes Page：10 Pages	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
60R190D	600VCoolGaN™enhancement-modePowerTransistor Features Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch Ultrafastswitching Noreverse-recoverycharge Capableofreverseconduction Lowgatecharge,lowoutputcharge Superiorcommutationruggedness QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPAW60R190CE	600VCoolMOS짧CEPowerTransistor 600VCoolMOSªCEPowerTransistor Applications PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTVandindoorlighting.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
60R190P	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET 文件：1.31882 Mbytes Page：10 Pages	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
BRF60R190	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FLPlasticPackage 文件：1.394 Mbytes Page：9 Pages	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

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更新时间：2024-5-12 8:55:00

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深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380。电话：0755-83226739QQ:626839837。微信号：15096137729
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2019-11-30
MMDJ-65608EV-30MQ静态随机存取存储器
制造商:Microchip 产品种类:静态随机存取存储器存储容量:128kbit 访问时间:30ns 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:4.5V 电源电流—最大值:110mA 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+125C 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:Flatpack-32 数据速率:SDR 类型:Asynchronous 商标
2019-11-29

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