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MMF65R600QTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 7.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

MMF65R600QTH

650V N-Ch MOSFET

MGCHIP

MMF65R600QTH

650V 0.60ohm N-channel MOSFET

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MGCHIP

N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package

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N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package

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蓝箭电子

650V N-Channel Super Junction MOSFET

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Superior Avalanche Rugged Technology

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SEMIHOW

Extremely low switching loss

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SEMIHOW

更新时间:2025-10-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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    制造商: Microchip 产品种类: 静态随机存取存储器 存储容量: 128 kbit 访问时间: 30 ns 电源电压-最大: 5.5 V 电源电压-最小: 4.5 V 电源电流—最大值: 110 mA 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: Flatpack-32 数据速率: SDR 类型: Asynchronous 商标

    2019-11-29