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MMDF6N02HDR2	Power MOSFET 文件：232.66 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMDF6N02HD	DUAL TMOS POWER MOSFET 6.0 AMPERES 20 VOLTS Dual HDTMOS devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature low RDS(on) and true logic level performance. Dual HDTMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching application	Motorola 摩托罗拉	Motorola
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G6N02L	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G6N02L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
PHKD6N02LT	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHKD6N02LT	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET	ETC 知名厂家	ETC

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更新时间：2025-12-31 12:23:00

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MMBZ5251B原包原装量大价优
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2024-12-17
MMC5983MA
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2024-4-23
MMDT3904G-SOT363R-TG_UTC代理商
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2023-3-6
MMDJ-M65608EV-30MQ
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2019-11-30
MMCP-67204HV-25MQ5962-8956810QTC
BAL-0003SMG Marki 2019+ 6000 超宽带SMT巴伦 BAL-0006SMG Marki 2019+ 6000 超宽带SMT巴伦 BAL-0009SMG Marki 2019+ 6000 超宽带SMT巴伦 BAL-0208SMG Marki 2019+ 6000 超宽带SMT巴伦 BAL-0416SMG Marki 2019+ 6000 超宽带SMT巴伦 BAL-0620SMG Marki 2019+ 6000 超宽带SMT巴伦 BALH-0003SMG Marki 2019+
2019-11-30
MMDJ-65608EV-30MQ静态随机存取存储器
制造商: Microchip 产品种类: 静态随机存取存储器存储容量: 128 kbit 访问时间: 30 ns 电源电压-最大: 5.5 V 电源电压-最小: 4.5 V 电源电流—最大值: 110 mA 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: Flatpack-32 数据速率: SDR 类型: Asynchronous 商标
2019-11-29