位置：首页 > IC中文资料第12902页 > MMBT3946DW
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT3946DW | SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES eComplementaryPair eOne3904-TypeNPN One3906-TypePNP eEpitaxialPlanarDieConstruction e|dealforLowPowerAmplificationandSwitching | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 |  |   |
MMBT3946DW | NPN/PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors 文件：636.26 Kbytes Page：6 Pages | YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司 |  | |
MMBT3946DW | COMPLEMENTARYNPN/PNPTRANSISTOR 文件：1.0327 Mbytes Page：5 Pages | YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司 |  | |
DualGeneralPurposeTransistors 文件：402.9 Kbytes Page：11 Pages | WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司 |  | | |
Half-BridgePowerMOSFETController FEATURES On-chipchargepumpfor7Vminimuminputsupplyvoltage High-currentgatedrivefordrivingawiderangeof N-channelMOSFETs Bootstrappedgatedrivewithchargepumpfor100dutycycle Overtemperatureprotection Undervoltageprotection –40ºCto135ºCambientoperation | ALLEGRO Allegro MicroSystems |  | | |
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Half-BridgePowerMOSFETController 文件：328.82 Kbytes Page：14 Pages | ALLEGRO Allegro MicroSystems | | |
MMBT3946DW产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT3946DW
- 制造商
WILLAS
- 制造商全称
WILLAS
- 功能描述
Dual General Purpose Transistors
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KEFAN/科范微 |
24+ |
NA/ |
120000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON |
24+ |
SOT363 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ON |
25+23+ |
SOT363 |
20289 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
SOT363 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
MOTOROLA |
956 |
公司优势库存 热卖中! |
|||||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-363 |
30000 |
原装正品现货 |
|||
ON |
24+ |
SOT-363 |
23000 |
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT-23 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ON/ONSemiconductor/安森 |
24+ |
SOT-363/SOT-323-6 |
57200 |
新进库存/原装 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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MMBT3946DW规格书下载地址
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：750mV@50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@150mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
DdatasheetPDF页码索引
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