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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
MMBT3946DW1T1	DualGeneralPurposeTransistors 文件：402.9 Kbytes Page：11 Pages	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司
MBT3946DW1T1	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors TheMBT3904DW1T1,MBT3906DW1T1,andMBT3946DW1T1devicesarespin–offsofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevices.TheyaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandarehousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwod	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
FFB3946DW1T1G	DualGeneralPurposeTransistors 文件：234.81 Kbytes Page：12 Pages	FS First Silicon Co., Ltd
LMBT3946DW1T1	DualGeneralPurposeTransistors 文件：220 Kbytes Page：11 Pages	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMBT3946DW1T1G	DualGeneralPurposeTransistors 文件：190.59 Kbytes Page：11 Pages	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
MBT3946DW1T1	DualGeneralPurposeTransistors 文件：720.39 Kbytes Page：10 Pages	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司

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更新时间：2025-7-21 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	MMBT3946DW1T1G	ON/安森美	24+	NA/	30000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	MMBT3946DW1T1G	ON	24+	SOT363	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	MMBT3946DW1T1G	ON/安森美	24+	SOT363	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	MMBT404	ETL	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MMBT3946DW1T1	LRC/乐山	23+	SOT23-6	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市振宏微科技有限公司	MMBT404	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市百域芯科技有限公司	MMBT3960A	FAIRCHILD/仙童	21+	SOT-23	30000	优势供应实单必成可13点增值税	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	MMBT-3D1LT1	OM	24+	SOT-23	6980	原装现货,可开13%税票	询价
深圳市芯球通科技有限公司	MMBT3946DW1T1G	ON(安森美)	23+		15194	公司只做原装正品,假一赔十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	MMBT3946DW1T1G	ON	25+23+	SOT363	20289	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价

MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
2023-2-9
MMBT3906WT1G 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
MMBT3906WT1G双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)，SC-70-3，ON安森美原装现货
2022-2-22
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBT4401CJ/长电SOT-23
2021-5-15
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电现货订货，欢迎咨询
MMBT4401CJ/长电SOT-23
2021-3-9
MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：750mV@50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@150mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3
MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3