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MMBT3946DW1T1	Dual General Purpose Transistors 文件：402.9 Kbytes Page：11 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS
MMBT3946DW1T1	Transistors	WILLAS 威伦电子	WILLAS
MBT3946DW1T1	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors The MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, and MBT3946DW1T1 devices are spin–offs of our popular SOT–23/SOT–323 three–leaded devices. They are designed for general purpose amplifier applications and are housed in the SOT–363 six–leaded surface mount package. By putting two d	LRC 乐山无线电	LRC
FFB3946DW1T1G	Dual General Purpose Transistors 文件：234.81 Kbytes Page：12 Pages	FS	FS
LMBT3946DW1T1	Dual General Purpose Transistors 文件：220 Kbytes Page：11 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LMBT3946DW1T1G	Dual General Purpose Transistors 文件：190.59 Kbytes Page：11 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MBT3946DW1T1	Dual General Purpose Transistors 文件：720.39 Kbytes Page：10 Pages	ETL 亚历电子	ETL

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更新时间：2025-11-17 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	MMBT3946DW1T1G	ON/安森美	24+	NA/	30000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	MMBT3946DW1T1G	ON/安森美	24+	SOT363	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
标准国际(香港)有限公司	MMBT3960	MOTOROLA	25+		956	公司优势库存热卖中!	询价
深圳市振宏微科技有限公司	MMBT404	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	MMBT3946DW1T1G	ON/安森美	25+	SOT363	15000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	MMBT3960A	FAIRCHILD/仙童	21+	SOT-23	30000	优势供应实单必成可13点增值税	询价
深圳市芯球通科技有限公司	MMBT3946DW1T1G	ON(安森美)	23+		15194	公司只做原装正品,假一赔十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	MMBT3946DW1T1G	ON	25+23+	SOT363	20289	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司	MMBT-3D1LT1	OM	23+	SOT-23	2800	绝对全新原装!现货!特价!请放心订购!	询价

MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
2023-2-9
MMBT3906WT1G 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
MMBT3906WT1G 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)，SC-70-3 ，ON安森美原装现货
2022-2-22
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23
2021-5-15
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电现货订货，欢迎咨询
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23
2021-3-9
MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：750mV @ 50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3
MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3