| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET General Description These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features • | Fairchild 仙童半导体 |   | ||
VERY LOWDROP VOLTAGE REGULATORS DESCRIPTION L4800 series devices are voltage regulators with a very low voltage drop (typically 0.4V at full rated current), output current up to 400mA, low quiescent current and comprehensiveon-chip protection.The se devices are protected against load dump and field decay transients of±60V, pola | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Monolithic Crystal Filter 文件：292.5 Kbytes Page：2 Pages | RAKON | | ||
Monolithic Crystal Filter 文件：292.5 Kbytes Page：2 Pages | RAKON | | ||
Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：975.04 Kbytes Page：7 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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STMicroelectronics |
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ST/意法 |
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2025-7-18MMBD7000LT1G 开关二极管 SOT-23
现货100K 品牌 ON/安森美
2022-7-4MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBD7000 CJ/长电 SOT-23
2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） - 漏源电压（Vdss） - 栅源极阈值电压 - 漏源导通电阻 - 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW
2020-11-12MMBFJ112 MOS场效应管 晶体管 十年IC，只做原装
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2020-10-20MMBF5484RF放大器SOT-23全新原装现货直拍丝印6B
MMBF5484 RF 放大器 SOT-23 全新原装现货 直拍 丝印6B
2019-2-25
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