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MJE18004D2

POWERTRANSISTORS5AMPERES1000VOLTS75WATTS

TheMJE18004D2isstate–of–artHighSpeedHighgainBIPolartransistor(H2BIP). Highdynamiccharacteristicsandlottolotminimumspread(±150nsonstoragetime)makeitideallysuitableforlightballastapplications.Therefore,thereisnoneedtoguaranteeanhFEwindow. Mainfeatures

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MJE18004D2

POWERTRANSISTORS

TheMJE18004D2isstate–of–artHighSpeedHighgainBIPolartransistor(H2BIP).Highdynamiccharacteristicsandlottolotminimumspread(±150nsonstoragetime)makeitideallysuitableforlightballastapplications.Therefore,thereisnoneedtoguaranteeanhFEwindow. Mainfeatures:

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJE18004D2

封装/外壳:TO-220-3 包装:托盘 描述:TRANS NPN 450V 5A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

封装/外壳:TO-220-3 包装:托盘 描述:TRANS NPN 450V 5A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MJE18004D2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJE18004D2

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-7-31 18:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
1922+
TO220
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
ON/安森美
22+
TO220
18000
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十
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原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
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TO220
7500
只做原装所有货源可以追溯原厂
ON/安森美
1022+
TO220
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原装现货
ON/安森美
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TO220
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现货,原厂原装假一罚十!
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TO220
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绝对原装正品全新进口深圳现货
ON
TO220
1348
正品原装--自家现货-实单可谈
ON
22+
SOT-263
3000
原装正品,支持实单
ON/安森美
23+
TO-220
89630
当天发货全新原装现货

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