关键词：MJE182G
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-225-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
最大直流电集电极电流: 3 A
Pd-功率耗散: 1.5 W
增益带宽产品fT: 50 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MJE182
封装: Bulk
高度: 11.04 mm
长度: 7.74 mm
技术: Si
宽度: 2.66 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 50
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
