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位置：首页 > IC中文资料第1002页 > MJD42C1G

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJD42C1G

ComplementaryPowerTransistors

ComplementaryPowerTransistorsDPAKforSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“1”Suffix) •Elect

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD42C1G

ComplementaryPowerTransistors

文件：89.89 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD42C1G

iscSiliconPNPPowerTransistor

文件：295.89 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD42C1G

ComplementaryPowerTransistors

文件：78.58 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD42C1G

ComplementaryPowerTransistors

文件：123.02 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD42C1G

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 包装：管件 描述：TRANS PNP 100V 6A IPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
D42C1

NPNPOWERTRANSISTORS

[GE] 30-80VOLTS3AMP,12.5WATTS Features: •Highfree-airpowerdissipation •NPNcomplementtoDC43CPNP •Lowcollectorsaturationvoltage(0.5Vtyp.@3.0AIC) •Excellentlinearity •FastSwitching

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1
D42C1

Highfree-airpowerdissipation

30-80VOLTS3AMP,12.5WATTS Features: •Highfree-airpowerdissipation •NPNcomplementtoDC43CPNP •Lowcollectorsaturationvoltage(0.5Vtyp.@3.0AIC) •Excellentlinearity •FastSwitching

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
KUWEN-42C1

Plug-inSignalConditionersK-UNIT

文件：134.48 Kbytes Page：4 Pages

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

爱模爱模系统有限公司

MSYSTEM
KUWEN-42C1SLASHQ

Plug-inSignalConditionersK-UNIT

文件：134.48 Kbytes Page：4 Pages

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

爱模爱模系统有限公司

MSYSTEM
LWTN-42C1

PowerTransducerSeriesL-UNIT

文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

爱模爱模系统有限公司

MSYSTEM

MJD42C1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD42C1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJD42C1G供应商更多...

更新时间：2025-7-23 23:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳立科技有限公司
MJD42C1G
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1983
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深圳市高捷芯城科技有限公司
MJD42C1G
onsemi(安森美)
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深圳市得捷芯城科技有限公司
MJD42C-1G
ON/安森美
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NA/
15000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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深圳市科恒伟业电子有限公司
MJD42C1G
ON
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TO-252
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深圳市正纳电子有限公司
MJD42CG
ON(安森美)
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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深圳市振宏微科技有限公司
MJD42CG
ONSEMICON
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
MJD42C--252
MOTOROLA/摩托罗拉
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TO-252
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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深圳良洲科技有限公司
MJD42C1G
ONSEMI
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深圳市一线半导体有限公司
MJD42C1G
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艾睿（深圳）半导体有限公司
MJD42CG
ON/安森美
2447
SMD
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MJD42C1G芯片相关品牌

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