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MJD42C1G

ComplementaryPowerTransistors

ComplementaryPowerTransistorsDPAKforSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“1”Suffix) •Elect

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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ComplementaryPowerTransistors

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iscSiliconPNPPowerTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD42C1G

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:管件 描述:TRANS PNP 100V 6A IPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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NPNPOWERTRANSISTORS

[GE] 30-80VOLTS3AMP,12.5WATTS Features: •Highfree-airpowerdissipation •NPNcomplementtoDC43CPNP •Lowcollectorsaturationvoltage(0.5Vtyp.@3.0AIC) •Excellentlinearity •FastSwitching

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC1

Highfree-airpowerdissipation

30-80VOLTS3AMP,12.5WATTS Features: •Highfree-airpowerdissipation •NPNcomplementtoDC43CPNP •Lowcollectorsaturationvoltage(0.5Vtyp.@3.0AIC) •Excellentlinearity •FastSwitching

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

MJD42C1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD42C1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-6-6 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
JINGDAO/晶导微
23+
500
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
ON
23+
TO-252
37650
全新原装真实库存含13点增值税票!
onsemi
24+
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251A
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
MOTOROLA/摩托罗拉
TO-252
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
ON
19+
DPAK4LEA
84466
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂;
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
ON
1822+
TO-252
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
onsemi
23/22+
NA
9000
代理渠道.实单必成
ON/安森美
22+
TO-252
94673
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
ON
23+
TO-251
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

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