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MJD42C1G中文资料

厂家型号

MJD42C1G

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7

功能描述

Complementary Power Transistors

两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

MJD42C1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD42C1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-12 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
IPAK
959
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ONSEMI
两年内
N/A
7500
原装现货,实单价格可谈
ONSEMI/安森美
24+
TO-251
60000
ONSEMICON
23+
NA
8701
专做原装正品,假一罚百!
ON
24+
DPAK3(SINGLEGAUGE
8866
ON
23+
TO-251
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
三年内
1983
只做原装正品
ONS
18+
TO-252
41200
原装正品,现货特价
JINGDAO/晶导微
23+
500
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
ON
25+
TO-251
3675
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