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MI30N03

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

30V N-Channel Power

Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capacitances

UMW

友台半导体

30V N-Channel Power

General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on

EVVOSEMI

翊欧

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

30A竊?0V N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-26 23:01:00
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TO-252
20000
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57002

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    MI360原装正品

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    一般描述 该MIC2010是一种双通道USB电源开关设计支持的USB唤醒权力分配的要求从ACPI S3状态。该MIC2010将直接改用在5V之间的两个主电源和5V辅助输出在ATX电源通常提供风格电源。该MIC2010将调整其限流阈值根据对ACPI的状态是在正常的Active英寸ACPI S0状态电流限制在500mA设置每通道的最低满足连续输出电流的USB规范。在S3状态电流限制可降低到一个值通过外部电阻决定缩小当前这是所提供的辅助电源,从而确保电压调节是在故障条件下仍能保持。该MIC2010提供化妆前断开关,以确保之间的S3和S0国无干扰的过渡。每个通道也热孤立于其他使在一

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