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MG600Q2YMS3

High-Power Module Silicon Carbide N-Channel MOSFET

Applications • High-Power Switching • Motor Controllers (including rail traction) Features (1) VDSS = 1200 V, ID = 600 A All SiC MOSFET Module(Low loss & High speed switching) (2) Low stray inductance, low thermal resistance, maximum Tch= 150 , built in temperature sensor. (3) Enhancement

TOSHIBA

东芝

MG600Q2YMS3

SiC MOSFET Modules

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-29 16:00:00
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