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MG600Q2YMS3中文资料

厂家型号

MG600Q2YMS3

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10

功能描述

High-Power Module Silicon Carbide N-Channel MOSFET

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

MG600Q2YMS3数据手册规格书PDF详情

Applications

• High-Power Switching

• Motor Controllers (including rail traction)

Features

(1) VDSS = 1200 V, ID = 600 A All SiC MOSFET Module(Low loss & High speed switching)

(2) Low stray inductance, low thermal resistance, maximum Tch= 150 , built in temperature sensor.

(3) Enhancement mode.

(4) Electrodes are isolated from case.

更新时间:2026-2-24 9:30:00
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