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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Description The ACE4922B is the Dual N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices

ACE

Surface Mount High Current Power Inductors

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API

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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ACE

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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ACE

Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-12-25 20:00:01
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