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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 5.5A, RDS(ON) = 42mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 59mΩ @VGS = 4.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ TSOP-6 package.

CET

华瑞

General-Purpose Switching Device

Features • ON-resistance RDS(on)1=54mΩ(typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance

SANYO

三洋

N-Channel 30V (D-S) MOSFET

文件:135.53 Kbytes Page:2 Pages

AnalogPower

N-Channel 30V (D-S) MOSFET

文件:211.08 Kbytes Page:3 Pages

AnalogPower

30V N-Channel MOSFET

文件:366.55 Kbytes Page:5 Pages

AOSMD

万国半导体

更新时间:2025-12-25 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装正品,假一罚十

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  • ME431AXG

    属性 参数值 商品目录 电压基准芯片 输出电压(最小值/固定) 2.5V 输出电流 100mA 输出电压(最大值) 36V 输入电压 - 电源电流 - 输出类型 可调式 工作温度 -40°C ~ 150°C(TA) 温度系数 20ppm/°C 阴极电流 1mA 精度 ±0.4%_ 参考源类型 分流器

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