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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION The AM3460 is available in SOT-23S package. FEATURES  BV≥60V ID=3A RDS(ON) ≤90mΩ @ VGS=10V RDS(ON) ≤110mΩ @ VGS=5V  Advanced trench cell design  High speed switch  Available in SOT-23S Package APPLICATION  Portable appliances  Notebook/PC appliances  Power Manage

AITSEMI

创瑞科技

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO3460/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge, and operation with gate voltages as low as 4.5V, in the small SOT-23 footprint. It can be used for a wide variety of applications, including load switching, low current inverters and lo

AOSMD

万国半导体

N-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 0.65 A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

Heyco® Original Series-35 Liquid Tight Cordgrips

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Heyco

N-Channel 60V (D-S) MOSFET

文件:115.84 Kbytes Page:3 Pages

AnalogPower

更新时间:2025-12-25 19:12:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AO
24+
SOT23-3
20000
原装正品支持实单
AOS(万代)
23+
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