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Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 5.3 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

MA03L3NZGD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MA03L3NZGD

  • 制造商

    C&K Components

  • 功能描述

    - Bulk

  • 制造商

    C&K Components

  • 功能描述

    MA03L3NZGD

更新时间:2025-12-18 23:01:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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