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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
1232

Customer Specification

Construction 1) Conductor a) Material Tinned Copper, per ASTM B-33 and CID-A-A-59551, latest revision b) Stranding Solid 2) Braid Data a) Nominal Dimensions .375 x .030 Inches b) AWG of Ends 36 c) Number of Carriers 48 d) Nominal Percent Coverage N/A e) Total Number of Ends 288 f) Approx

ALPHAWIRE

1232-A

Precision Capacitance Measurement System

Features Power: 105 to 125 V and 210 to 250 V, 50 to 400 Hz, 22 W for oscillator. Dimensions: Bench: 48.3 cm H x 50.2 cm W x 28.0 cm D (19 x 19.75 x 11) Weight: 27 kg (59 lb.) net, 44 kg (96 lb.) shipping

IET

1232

Original Strain Relief Bushings

文件：129.02 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

1232

Variable RF Inductor

文件：324.96 Kbytes Page：2 Pages

YANTEL

研通高频

1232

SCREW TERMINALS

文件：584.62 Kbytes Page：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

LTC1232CG供应商更多...

更新时间：2025-12-30 11:09:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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深圳市一线半导体有限公司
1232L
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1232-IP
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深圳市卓越微芯电子有限公司
1232G-JT-DB
AGERE
25+
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302
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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LTC1232CG规格书下载地址

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    2021-5-23

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    描述 在LTC1255双高侧驱动器允许使用低成本N沟道场效应管的高边工业和汽车 开关应用。内部电荷泵增强铁路正上方的栅极驱动电压，全面提高一个N沟道MOS开关无外部元件。低功耗操作，12mA电流待机电流，使几乎所有的系统与使用最高的效率。包括片上是独立的过流检测提供在短路情况下自动关机。一时间延迟可以被添加到当前意义防止高浪涌电流负载假触发。LTC1255工作在从9V至24V电源，并非常适用于工业和汽车应用。该LTC1255在这两个8引脚DIP和一8引脚SOIC封装。 特点 全面提升N沟道功率MOSFET 12

    2013-2-27

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    描述 单一的LTC1154高边栅极驱动器允许使用低成本N沟道场效应管的高侧开关应用。内部电荷泵提升了栅极驱动电压上述积极铁路，充分提高一个N沟道MOS开关，无需外部元件。微操作，待机电流为8mA，并与工作电流达85mA，几乎所有的系统允许的最大使用效率。该芯片还包含可编程的过电流检测。一时间延迟可以被添加到防止假触发高浪涌电流负载。高有效的关断输入还提供了直接和接口标准PTC公司热敏电阻热关机。开漏输出报告提供的开关状态的国会议员。低有效使能输入可控制多台交换机在银行。该LTC1154备有8脚DIP和8脚SOIC包。 特点 全面提升N沟

    2013-2-27

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