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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=100V,ID=40A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,30A,24m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,36A,24m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,35A,22.5m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
更新时间:2025-8-1 18:33:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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TO-252-2(DPAK)
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