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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

General Description These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well su

Fairchild

仙童半导体

Dual P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -30V, ID= -5 A RDS(ON)

Bychip

百域芯

10Gb/s DWDM 80km Multi-Rate High Optical Output Tunable SFP Transceiver

FEATURES • Hot-pluggable SFP+ footprint • Supports 8.5 and 9.95 to 11.3 Gb/s • Up to 80km link length • 50GHz ITU-based channel spacing(C-Band) with a wavelength locker • -5 /70°C case temperature range • Single 3.3V power supply • Monolithic MZM Tunable TOSA • Linear or Limiting electric

Coherent

高意

1ch Motor Driver

文件:269.04 Kbytes Page:6 Pages

ROHM

罗姆

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.05729 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-24 23:20:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
20+
SOP8L
2960
诚信交易大量库存现货
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2016+
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SOP
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    描述 在LT®6650是一种微功耗,低电压400mV的参考。经营与物资从1.4V至18V时,器件仅消耗五点六毫安典型,使其成为理想的低电压系统以及和手持仪器 工业控制系统。只有两个电阻的内部缓冲放大器可以400mV的参考规模任何需要的价值高达电源电压。该引用postpackage微调,以增加输出精度。输出可吸收并提供200mA的温度过高。静态功耗为28mW。稳定是确保与任何输出或电容器的1mF高。LT6650是该系列的最低电压可供参考在5引脚SOT -23封装。 特征 低静态电流5.6毫安(典型) 宽

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