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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■30V,5.5A,RDS(ON)=42mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=59mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSOP-6package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

General-PurposeSwitchingDevice

Features •ON-resistanceRDS(on)1=54mΩ(typ.) •1.8Vdrive •Halogenfreecompliance

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO

N-Channel30V(D-S)MOSFET

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AnalogPower

Analog Power

AnalogPower

N-Channel30V(D-S)MOSFET

文件:211.08 Kbytes Page:3 Pages

AnalogPower

Analog Power

AnalogPower

30VN-ChannelMOSFET

文件:366.55 Kbytes Page:5 Pages

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
更新时间:2025-6-6 23:01:01
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