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PowerOutputStageAutomaticBiasSystem

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LINERLinear Technology

线性技术公司

LINER

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

LT1166CS8#TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LT1166CS8#TR

  • 功能描述

    IC AUTO BIAS SYST PWR OUT 8SOIC

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关

  • 系列

    -

  • 标准包装

    5

  • 系列

    -

  • 配置

    低端

  • 输入类型

    非反相

  • 延迟时间

    600ns 电流 -

  • 12A

  • 配置数

    1

  • 输出数

    1 高端电压 -

  • 最大(自引导启动)

    -

  • 电源电压

    14.2 V ~ 15.8 V

  • 工作温度

    -20°C ~ 60°C

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    21-SIP 模块

  • 供应商设备封装

    模块

  • 包装

    散装

  • 配用

    BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT

  • 其它名称

    835-1063

更新时间:2024-5-10 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
LT
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LT1166CS8#TR数据表相关新闻

  • LT1167CS8#TRPBF

    进口代理

    2022-10-20
  • LT1166CS8#PBF

    www.58chip.com

    2022-5-23
  • LT1172CS8

    SMD/SMT开关稳压器,TPS62823开关稳压器,SOT-23-6开关稳压器,3.3V开关稳压器,5VTO-263-5LM2576开关稳压器,TPS61022开关稳压器

    2021-11-17
  • LT1172IS8原装现货热卖

    LT1172IS8开关稳压器1.25APwrSwReg100kHz

    2021-2-3
  • LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器

    描述作者:LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护,防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入,LT1158将自动关闭出现故障的事件,然后重试时,一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。

    2013-2-28
  • LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器

    描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压(HV)高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护,防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件,欠压积极拉锁定驱动器输出,以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠,即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本,目前有在一个24引脚PDIP或2

    2013-2-27