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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
LT1166CS8 | PowerOutputStageAutomaticBiasSystem 文件：454.82 Kbytes Page：16 Pages | LINERLinear Technology 线性技术公司 |  |   |
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器 | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  | | |
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器 | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | | |
LT1166CS8产品属性
- 类型
描述
- 型号
LT1166CS8
- 功能描述
IC BIAS SYS AUTO PWR-OUTPT 8SOIC
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 系列
-
- 标准包装
5
- 系列
-
- 配置
低端
- 输入类型
非反相
- 延迟时间
600ns 电流 -
- 峰
12A
- 配置数
1
- 输出数
1 高端电压 -
- 最大（自引导启动）
-
- 电源电压
14.2 V ~ 15.8 V
- 工作温度
-20°C ~ 60°C
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
21-SIP 模块
- 供应商设备封装
模块
- 包装
散装
- 配用
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
- 其它名称
835-1063
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LINER |
23+ |
NA |
25060 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
LINEAR/凌特 |
18+ |
SOIC8 |
34666 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
|||
LINEAR |
2023+ |
SOP8 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
LINEAR/凌特 |
21+ |
SOP-8 |
2000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
|||
LT |
20+/21+ |
PLCC68 |
4320 |
全新原装进口价格优惠 |
|||
LINEAR/凌特 |
22+ |
SOP-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
LINEAR(凌特) |
2324+ |
NA |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
|||
LT |
2020+ |
SOP-8 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ADI/亚德诺 |
2023+ |
SOIC-8 |
42820 |
正品,原装现货 |
|||
LINEAR/凌特 |
22+ |
SOP-8 |
354000 |
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2023-3-20LT1167CS8#TRPBF
进口代理
2022-10-20LT1166CS8#PBF
www.58chip.com
2022-5-23LT1172CS8
SMD/SMT开关稳压器,TPS62823开关稳压器,SOT-23-6开关稳压器,3.3V开关稳压器,5VTO-263-5LM2576开关稳压器,TPS61022开关稳压器
2021-11-17LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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