型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of FBET, MBIT process. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor dri

SANYO

三洋

High Output, Short Arc Xenon Flashlamp with Internal Reflector

Description The FX-1160 Reflector Lamp has greater than 40 more usable light intensity than our standard FX-1150 and is completely interchangeable. PerkinElmer customers have the option of either taking advantage of the greatly increased light output or they can operate the FX-1160 at a reduced i

PerkinElmer

INA169 Analog DC Current Sensor Breakout - 60V 5A Max

文件:89.95 Kbytes Page:2 Pages

Adafruit

10/100BASE-TX TRANSFORMER MODULES For Auto MDI/MDIX Applications

文件:139.15 Kbytes Page:2 Pages

pulse

ROHS COMPLIANT

文件:499.47 Kbytes Page:3 Pages

pulse

更新时间:2025-12-28 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BOURNS/伯恩斯
24+
原厂渠道
15688
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
VB
25+
SC-88A
17585
原装正品,假一罚十!
SIS
22+
BGA
2000
进口原装!现货库存
SIS
23+
BGA
5000
原装正品,假一罚十
BOURNS
16+
94
优势货源原装正品
rf-bay
24+
模块
400
BOUR
23+
1010
SIS
23+
BGA
33888
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
BOURNS/伯恩斯
23+
10108
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
VBSEMI/台湾微碧
23+
SC-88A
50000
全新原装正品现货,支持订货

LT1164IS芯片相关品牌

LT1164IS数据表相关新闻

  • LT1129MPST-3.3#PBF

    LT1129MPST-3.3#PBF

    2023-3-20
  • LT1167CS8#TRPBF

    进口代理

    2022-10-20
  • LT1166CS8#PBF

    www.58chip.com

    2022-5-23
  • LT1172CS8

    SMD/SMT 开关稳压器 , TPS62823 开关稳压器 , SOT-23-6 开关稳压器 , 3.3 V 开关稳压器 , 5 V TO-263-5 LM2576 开关稳压器 , TPS61022 开关稳压器

    2021-11-17
  • LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器

    描述 作者:LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护,防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入,LT1158将自动关闭出现故障的事件,然后重试时,一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。

    2013-2-28
  • LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器

    描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压(HV)高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护,防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件,欠压积极拉锁定驱动器输出,以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠,即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本,目前有在一个24引脚PDIP或2

    2013-2-27