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Ionization Detector

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Honeywell

霍尼韦尔

Heavy Duty Flashlight

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ENERGIZER

劲量

Stay Connected with Heyco Bushings, Grommets, Bumpers & Feet

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

The 1151 filter is a very compact, single phase, high current device with very good common mode and differential mode insertion loss

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JMK

Low Profile Ionization Plug-in Smoke Detectors

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SYSTEMSENSOR

更新时间:2025-12-28 17:45:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TE CONNECTIVITY美国泰科
2450+
NA
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
BENHA
24+
1874
MOLEX/莫仕
2508+
/
337362
一级代理,原装现货
TE
25+
100
原厂现货渠道
Anderson Power Products, Inc.
23+
原厂封装
1315
只做原装只有原装现货实报
CTS
25+
260
ADI/亚德诺
23+
EB/PCB
3000
只做原装正品,假一赔十
DIAIOG
25+
DIP22
1473
全新原装正品支持含税
IR
23+
MODULE
7000
AmphenolRF
24+
DIP
17900
射频电缆组件

LT1151SW芯片相关品牌

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  • LT1166CS8#PBF

    www.58chip.com

    2022-5-23
  • LT1129CQ-5

    LT1129CQ-5

    2021-7-15
  • LT1129IQ

    SOT-23-3 LDO稳压器,1个输出DFN-8 LDO稳压器,5 A LDO稳压器,1个输出固定3.8 V LDO稳压器,750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器,LT3080-1 LDO稳压器

    2020-7-28
  • LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器

    描述 作者:LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护,防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入,LT1158将自动关闭出现故障的事件,然后重试时,一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。

    2013-2-28
  • LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器

    描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压(HV)高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护,防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件,欠压积极拉锁定驱动器输出,以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠,即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本,目前有在一个24引脚PDIP或2

    2013-2-27