| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
1147 Differential Pressure Gauge for Tank Level Measurement FEATURES 270 Degree dial arc Static pressure capability 1,000 psi Superior magnets for smoother pointer motion Convoluted diaphragm actuator Easily removed window for cleaning | ASHCROFT 雅斯科 |   | ||
Original Strain Relief Bushings 文件：112.65 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
InfiniiVision 3000T X- Series 文件：2.66855 Mbytes Page：38 Pages | KEYSIGHT 是德科技 | | ||
InfiniiVision PXIe Modular Oscilloscopes 文件：3.4473 Mbytes Page：21 Pages | KEYSIGHT 是德科技 | | ||
Low-Profile Oscilloscopes 文件：4.30336 Mbytes Page：17 Pages | KEYSIGHT 是德科技 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Weidmuller |
50000 |
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Barnhill |
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SMD |
2100 |
“芯达集团”专营军工百分之百原装进口 |
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魏德米勒连接器 |
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ROCKWELL |
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Mill-Max Manufacturing Corp. |
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原厂封装 |
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2022-5-23LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
2021-7-15LT1129IQ
SOT-23-3 LDO稳压器，1个输出DFN-8 LDO稳压器，5 A LDO稳压器，1个输出固定3.8 V LDO稳压器，750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器，LT3080-1 LDO稳压器
2020-7-28LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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