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A1147	LowCurrentUltrasensitiveTwo-WireChopper-StabilizedUnipolarHallEffectSwitches FeaturesandBenefits ■Chopperstabilization ▫Lowswitchpointdriftoveroperating temperaturerange ▫Lowsensitivitytostress ■Factoryprogrammedatend-of-linefor optimizedswitchpoints ■On-chipprotection ▫Supplytransientprotection ▫Reverse-batteryprotection ▫On-board	Allegro Allegro MicroSystems
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1147B	InfiniiVision3000TX-Series 文件：2.66855 Mbytes Page：38 Pages	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司
1147B	InfiniiVisionPXIeModularOscilloscopes 文件：3.4473 Mbytes Page：21 Pages	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司
1147B	Low-ProfileOscilloscopes 文件：4.30336 Mbytes Page：17 Pages	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司

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更新时间：2024-6-16 18:37:01

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2023-3-20
LT1166CS8#PBF
www.58chip.com
2022-5-23
LT1129CQ-5
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2021-7-15
LT1129IQ
SOT-23-3LDO稳压器，1个输出DFN-8LDO稳压器，5ALDO稳压器，1个输出固定3.8VLDO稳压器，750mA5VSMD/SMTLDO稳压器，LT3080-1LDO稳压器
2020-7-28
LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28
LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27

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