| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
N/A |
17150 |
只做原装 公司现货库存 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
996880 |
只做原装,欢迎来电资询 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
N/A |
98900 |
原厂原装正品现货!! |
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VCO |
24+ |
QFN |
2000 |
原装现货100%现货 |
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Ametherm |
24+ |
SMD |
17900 |
NTC热敏电阻 |
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ARGOSY |
23+ |
VBGA-360 |
5015 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
CMD |
2025+ |
SSOP |
3750 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
ITT |
24+ |
DIP |
5400 |
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Panasonic Electric Works |
23+ |
原厂封装 |
1985 |
深圳现货库存/下单即发/原装正品 |
|||
MAXIM |
TQFN16 |
2170 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
LT1144I芯片相关品牌
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LT1129MPST-3.3#PBF
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www.58chip.com
2022-5-23LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
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SOT-23-3 LDO稳压器，1个输出DFN-8 LDO稳压器，5 A LDO稳压器，1个输出固定3.8 V LDO稳压器，750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器，LT3080-1 LDO稳压器
2020-7-28LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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