| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component13X1COND a)Conductor16(65/34)AWGBareCopper0.059 b)Insulation 0.016Wall,Nom.PVC/0.005Wall NYLON 0.101 (1)Color(s) CondColorCondColorCondColor 1BLACK2WHITE3 GREEN/YELLOW 2)CableAssembly3ComponentsCabled a)Twists: | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 |  |   | |
CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component13X1COND a)Conductor16(65/34)AWGBareCopper0.059 b)Insulation 0.016Wall,Nom.PVC/0.005Wall NYLON 0.101 (1)Color(s) CondColorCondColorCondColor 1BLACK2WHITE3 GREEN/YELLOW 2)CableAssembly3ComponentsCabled a)Twists: | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | | | |
EasyIdentificationandTracingwith10-colorCable 文件：782.9 Kbytes Page：2 Pages | ARIES Aries Electronics,inc |  | | |
1/4ENCLOSEDPHONEJACKS 文件：94.03 Kbytes Page：5 Pages | SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd. |  | | |
POWERDIVIDERS/COMBINERS 文件：100.79 Kbytes Page：1 Pages | MERRIMAC Merrimac Industries, Inc. |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ETRI |
21+ |
SOT-23-6 |
20350 |
全新原装现货实库存 |
|||
N/A |
18+ |
QFP |
360 |
现货正品专供军研究院 |
|||
ELMOS |
23+ |
SSOP36P |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
ANAREN |
21+ |
VQFN |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
Weidmueller |
21+ |
- |
1060 |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
|||
CATCH |
21+ |
标准封装 |
110 |
进口原装,订货渠道! |
|||
FIRSTOHM |
14235 |
原装正品长期供货，如假包赔包换 徐小姐13714450367 |
|||||
ANAREN |
07+ |
SMD |
1642 |
向鸿原装正品,公司有现货 |
|||
INTEL/英特尔 |
22+ |
BGA |
500000 |
原厂渠道/找正品元器件就找宏桥达/实报实货/诚信第一/ |
|||
LUCENT |
07+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
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- LT1167C
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2022-5-23LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
2021-7-15LT1129IQ
SOT-23-3LDO稳压器，1个输出DFN-8LDO稳压器，5ALDO稳压器，1个输出固定3.8VLDO稳压器，750mA5VSMD/SMTLDO稳压器，LT3080-1LDO稳压器
2020-7-28LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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