| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 | 
|---|---|---|---|---|
1130 Differential Pressure Gauge FEATURES High static pressure capabilty (up to 6,000 psi) Ranges from 5 psi to 150 psi Reed switches optional for direct system control Superior magnets for smoother pointer motion Buna-N O-rings (others available) Piston actuator Dry or liquid filled case  | ASHCROFT 雅斯科  | |||
Electric Imp April: Basic prototyping 文件:183.38 Kbytes Page:2 Pages  | Adafruit  | |||
Heyco짰 Original Strain Relief Bushings 文件:137.33 Kbytes Page:1 Pages  | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商  | |||
Original Strain Relief Bushings 文件:136.21 Kbytes Page:1 Pages  | Heyco  | |||
Low-Profile Oscilloscopes 文件:4.30336 Mbytes Page:17 Pages  | KEYSIGHT 是德科技  | 
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BOURNS  | 
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插件,D27.9xL21.3mm  | 
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2022-5-23LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
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SOT-23-3 LDO稳压器,1个输出DFN-8 LDO稳压器,5 A LDO稳压器,1个输出固定3.8 V LDO稳压器,750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器,LT3080-1 LDO稳压器
2020-7-28LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述 作者:LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护,防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入,LT1158将自动关闭出现故障的事件,然后重试时,一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压(HV)高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护,防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件,欠压积极拉锁定驱动器输出,以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠,即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本,目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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