位置：首页 > IC中文资料第1317页 > LT1129IQ5
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
LTC | ETC |   | ||
Linear | ETC | | ||
Linear | ETC | | ||
Linear | ETC | | ||
Linear | ETC | | ||
lt | ETC | | ||
lt | ETC | | ||
lt | ETC | |
LT1129IQ5产品属性
- 类型
描述
- 型号
LT1129IQ5
- 制造商
Linear Technology
- 功能描述
LDO Regulator Pos 5V 0.7A 6-Pin(5+Tab) DDPAK
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LINEAR(凌特) |
2511 |
8484 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
||||
LT |
NEW |
SMD |
9526 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
LINEAR/凌特 |
22+ |
TO-263-5 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
LINEAR/凌特 |
24+ |
TO-263-5 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
LT |
25+ |
TO |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
LT |
20+ |
5-DDPAK |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
LINEAR/凌特 |
23+ |
TO-263 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
LT |
10+ |
TO263-5 |
7800 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
LINEAR/凌特 |
25+ |
TO-263-5 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
Linear |
23+ |
5DDPAK |
8000 |
只做原装现货 |
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- m1105
- lw26
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- lt15
- LT1161I
- LT1161C
- LT1161
- LT1160
- LT1158I
- LT1158C
- LT1158
- LT1152
- LT1141A
- LT1140A
- LT1139A
- LT1138A
- LT1137A
- LT1136A
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- LT1132A
- LT1131A
- LT1130A
- LT1129IS8PBF
- LT1129IS8-5.0
- LT1129IS8-5#TRPBF
- LT1129IS8-5#TR
- LT1129IS8-5#PBF
- LT1129IS8-5
- LT1129IS8-3.3#TRPBF
- LT1129IS8-3.3#TR
- LT1129IS8-3.3#PBF
- LT1129IS8-3.3
- LT1129IS8#TRPBF
- LT1129IS8#TR
- LT1129IS8#PBF
- LT1129IS8
- LT1129IQPBF
- LT1129IQ-5PBF
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- LT1129IQ-5#TR
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- LT1129IQ-3.3#TRPBF
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LT1129IQ5数据表相关新闻
LT1129MPST-3.3#PBF
LT1129MPST-3.3#PBF
2023-3-20LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
2021-7-15LT1129IQ
SOT-23-3 LDO稳压器，1个输出DFN-8 LDO稳压器，5 A LDO稳压器，1个输出固定3.8 V LDO稳压器，750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器，LT3080-1 LDO稳压器
2020-7-28LT1117CST-3.3#PBF
深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
DdatasheetPDF页码索引
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