位置:首页 > IC中文资料 > LT1129IQ5#TRPBF
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Linear | ||||
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Linear |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ADI/亚德诺 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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LINEAR |
TO263 |
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原包原标签100%进口原装常备现货! |
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LINEAR/凌特 |
21+ |
TO263-5 |
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LINEAR/凌特 |
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只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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公司进口原装现货 批量特价支持 |
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LT1129IQ5#TRPBF规格书下载地址
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LT1129IQ5#TRPBF数据表相关新闻
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2023-3-20LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
2021-7-15LT1129IQ
SOT-23-3LDO稳压器,1个输出DFN-8LDO稳压器,5ALDO稳压器,1个输出固定3.8VLDO稳压器,750mA5VSMD/SMTLDO稳压器,LT3080-1LDO稳压器
2020-7-28LT1117CST-3.3#PBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者:LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护,防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入,LT1158将自动关闭出现故障的事件,然后重试时,一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压(HV)高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护,防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件,欠压积极拉锁定驱动器输出,以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠,即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本,目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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