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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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400mV Dropout Voltage 文件：160.23 Kbytes Page：16 Pages | LINER 凌力尔特 | |
LT1129IQ-5PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
LT1129IQ-5PBF
- 制造商
Linear Technology
- 功能描述
LDO Regulator Positive 5V 0.7A DDPAK6
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亚德诺) |
24+ |
TO-263-5 |
1435 |
特价优势库存质量保证稳定供货 |
|||
ADI(亚德诺) |
24+ |
TO-263-5 |
5591 |
百分百原装正品,可原型号开票 |
|||
LT |
24+ |
TO263-5 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
LINEAR/凌特 |
24+ |
TO-263-5 |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
LINEAR/凌特 |
24+ |
TO-263-5 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
LINAER |
22+ |
DDPAK |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
LINEAR(凌特) |
2511 |
8484 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
||||
LINEAR/凌特 |
2021+ |
TO263 |
9450 |
原装现货。 |
|||
LINEAR |
24+ |
SOT263-5 |
64 |
||||
LINEAR |
22+ |
TO263 |
40000 |
原装现货 |
LT1129IQ-5PBF芯片相关品牌
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- LT1158C
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- LT1129IS8PBF
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- LT1129IS8-5#TRPBF
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LT1129IQ-5PBF数据表相关新闻
LT1129MPST-3.3#PBF
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2023-3-20LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
2021-7-15LT1129IQ
SOT-23-3 LDO稳压器，1个输出DFN-8 LDO稳压器，5 A LDO稳压器，1个输出固定3.8 V LDO稳压器，750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器，LT3080-1 LDO稳压器
2020-7-28LT1117CST-3.3#PBF
深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
DdatasheetPDF页码索引
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