LED Lighting Surge Protection Module > LSP10

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Surge Protection Module LED Lighting Surge Protection Module > LSP10

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LED照明浪涌保护模块

Littelfuse产品并非为相关Littelfuse产品文件中明确说明的用途以外的其他用途而设计，也不应被用于这些用途（包括但不限于汽车、军事、航空航天、医疗、救生、维生或核设施应用、用于手术植入体内的装置、或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用）。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途，则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途，则Littelfuse不会为因此造成的任何索赔或损失承担责任。 除非经Littelfuse另行许可，否则Littelfu • 最大雷击浪涌电流: 20,000A\n• 热保护压敏电阻技术\n• 符合IP66标准的防水、防尘能力 \n• 符合UL1449类型4认证，并符合IEC 61643-11 II类和EN 61643-11类型2标准\n• 紧凑的外形尺寸（48x48x30mm），附安装支架;

LED照明浪涌保护模块

Littelfuse产品并非为相关Littelfuse产品文件中明确说明的用途以外的其他用途而设计，也不应被用于这些用途（包括但不限于汽车、军事、航空航天、医疗、救生、维生或核设施应用、用于手术植入体内的装置、或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用）。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途，则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途，则Littelfuse不会为因此造成的任何索赔或损失承担责任。 除非经Littelfuse另行许可，否则Littelfu • 最大雷击浪涌电流: 20,000A\n• 热保护压敏电阻技术\n• 符合IP66标准的防水、防尘能力 \n• 符合UL1449类型4认证，并符合IEC 61643-11 II类和EN 61643-11类型2标准\n• 紧凑的外形尺寸（48x48x30mm），附安装支架;

包装：盒 描述：LIGHTING SURGE PROTECT 120V SCRW 电路保护 TVS - 浪涌保护器（SPD）

包装：盒 描述：LIGHTING SURGE PROTECT 120V SCRW 电路保护 TVS - 浪涌保护器（SPD）

MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line Microwave Long Pulse Power Transistor Designed for 960–1215 MHz long pulse common base amplifier applications such as JTIDS and Mode S transmitters. • Guaranteed Performance @ 1.215 GHz, 36 Vdc Output Power = 120 Watts Peak Gain = 7.6 dB Min., 8.5 dB (Typ) • 100 Tested fo

MICROWAVE POWER TRANSISTOR

The RF Line Microwave Long Pulse Power Transistor Designed for 960–1215 MHz long pulse common base amplifier applications such as JTIDS and Mode S transmitters. • Guaranteed Performance @ 1.215 GHz, 36 Vdc Output Power = 120 Watts Peak Gain = 8.0 dB Min., 9.2 dB (Typ) • 100 Tested for

SCANSWITCH RECTIFIER 10 AMPERES 1200 VOLTS

SCANSWITCH Power Rectifier For High and Very High Resolution Monitors This state–of–the–art power rectifier is specifically designed for use as a damper diode in horizontal deflection circuits for high and very high resolution monitors. In these applications, the outstanding performance of the M

SCANSWITCH RECTIFIER 10 AMPERES 1200 VOLTS

SCANSWITCH Power Rectifier For High and Very High Resolution Monitors This state–of–the–art power rectifier is specifically designed for use as a damper diode in horizontal deflection circuits for high and very high resolution monitors. In these applications, the outstanding performance of the M

120 Watts, 1.8-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor

Description The PTF 10120 is an internally matched common source N-channel enhancement-mode lateral MOSFET intended for CDMA and TDMA applications from 1.8 to 2.0 GHz. It is rated at 120 watts power output. Nitride surface passivation and full gold metallization ensure excellent device lifetime a