| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
LSH03N60 | 高压超结VDMOS | LONTEN 龙腾半导体 |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：2.52205 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件：1.72801 Mbytes Page：16 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Power MOSFET 文件：193.74 Kbytes Page：3 Pages | JIANGSU 长电科技 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures 文件：580.87 Kbytes Page：5 Pages | Fuji 富士通 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-5-17
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